2ED21834S06JXUMA1 vs 2ED2183S06FXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2ED21834S06JXUMA1 tarafından Infineon ve 2ED2183S06FXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2ED21834S06JXUMA1 2ED2183S06FXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) High Side, Low Side, Non-Inverting
Maximum Offset Voltage (VBS) 650 V —
Typical Sink Current 2.5 A —
Typical Source Current 2.5 A —
Input Logic Non-Inverting —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage SOI (Silicon-On-Insulator)
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Paket PG-DSO-14-49 (DSO-14) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
Pin Sayısı 14 —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40 °C to +125 °C —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Standard Reel Quantity 3000 —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Number of Drivers — 1
Çıkış Sayısı — 1 (half-bridge: high-side + low-side)
Maximum Offset Voltage — 650 V
Output Current (Sink/Source) — 2.5 A typical
Artış Süresi — 15 ns
Düşüş Süresi — 15 ns
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V (typ.)
Logic Input Voltage — 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN)
Input Type — Non-Inverting
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — VCC and VBS
İşletim Sıcaklığı — -40 C to +125 C
MSL Seviyesi — 2
Terminal Finish — Tin (e3 per JESD-609)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin