2ED2183S06FXUMA1 vs 2ED2108S06FXUMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2ED2183S06FXUMA1 بواسطة Infineon و 2ED2108S06FXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 2ED2183S06FXUMA1 | 2ED2108S06FXUMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Driver Type | Half-Bridge Gate Driver | — |
| Number of Drivers | 1 | 1 |
| عدد المخارج | 1 (half-bridge: high-side + low-side) | 2 (high-side + low-side) |
| Configuration | High Side, Low Side, Non-Inverting | — |
| Maximum Offset Voltage | 650 V | — |
| Output Current (Sink/Source) | 2.5 A typical | — |
| زمن الصعود | 15 ns | — |
| زمن السقوط | 15 ns | — |
| Supply Voltage (VCC) | 10 V to 20 V | — |
| Bootstrap Supply (VBS) | 10 V to 20 V (typ.) | — |
| Logic Input Voltage | 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN) | — |
| Input Type | Non-Inverting | — |
| Bootstrap Diode | Integrated | — |
| Undervoltage Lockout (UVLO) | VCC and VBS | Yes (VCC and VB) |
| درجة حرارة التشغيل | -40 C to +125 C | -40 C to +125 C |
| العلبة | PG-DSO-8-53 (DSO-8) | PG-DSO-8-53 (DSO-8) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 2 | 1 |
| Terminal Finish | Tin (e3 per JESD-609) | — |
| Technology | SOI (Silicon-On-Insulator) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Driver Configuration | — | Half-Bridge |
| Gate Type | — | N-Channel MOSFET, IGBT |
| Logic Input | — | Non-Inverting |
| Input Voltage (VCC) | — | 10 V to 20 V |
| High-Side Bootstrap Voltage Rating | — | 650 V |
| Peak Source Current (typ.) | — | 0.29 A |
| Peak Sink Current (typ.) | — | 0.7 A |
| Integrated Bootstrap Diode | — | Yes |
| Propagation Delay (typ.) | — | [DATA_NEEDED: propagation delay ns] |
| Rise / Fall Time (typ.) | — | [DATA_NEEDED: tr/tf ns] |