2ED2183S06FXUMA1 vs 2ED2108S06FXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2ED2183S06FXUMA1 tarafından Infineon ve 2ED2108S06FXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2ED2183S06FXUMA1 2ED2108S06FXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Driver Type Half-Bridge Gate Driver —
Number of Drivers 1 1
Çıkış Sayısı 1 (half-bridge: high-side + low-side) 2 (high-side + low-side)
Configuration High Side, Low Side, Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 650 V —
Output Current (Sink/Source) 2.5 A typical —
Artış Süresi 15 ns —
Düşüş Süresi 15 ns —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 20 V (typ.) —
Logic Input Voltage 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN) —
Input Type Non-Inverting —
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) VCC and VBS Yes (VCC and VB)
İşletim Sıcaklığı -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Paket PG-DSO-8-53 (DSO-8) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 2 1
Terminal Finish Tin (e3 per JESD-609) —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge
Gate Type — N-Channel MOSFET, IGBT
Logic Input — Non-Inverting
Input Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
High-Side Bootstrap Voltage Rating — 650 V
Peak Source Current (typ.) — 0.29 A
Peak Sink Current (typ.) — 0.7 A
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Propagation Delay (typ.) — [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Rise / Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: tr/tf ns]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin