2ED2183S06FXUMA1 vs 2ED2108S06FXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2ED2183S06FXUMA1 מאת Infineon ו 2ED2108S06FXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 2ED2183S06FXUMA1 2ED2108S06FXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Type Half-Bridge Gate Driver —
Number of Drivers 1 1
מספר יציאות 1 (half-bridge: high-side + low-side) 2 (high-side + low-side)
Configuration High Side, Low Side, Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 650 V —
Output Current (Sink/Source) 2.5 A typical —
זמן עלייה 15 ns —
זמן ירידה 15 ns —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 20 V (typ.) —
Logic Input Voltage 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN) —
Input Type Non-Inverting —
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) VCC and VBS Yes (VCC and VB)
טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C -40 C to +125 C
מארז PG-DSO-8-53 (DSO-8) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL 2 1
Terminal Finish Tin (e3 per JESD-609) —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge
Gate Type — N-Channel MOSFET, IGBT
Logic Input — Non-Inverting
Input Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
High-Side Bootstrap Voltage Rating — 650 V
Peak Source Current (typ.) — 0.29 A
Peak Sink Current (typ.) — 0.7 A
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Propagation Delay (typ.) — [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Rise / Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: tr/tf ns]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר