2EDB7259KXUMA1 vs 2ED2103S06FXUMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDB7259KXUMA1 بواسطة Infineon و 2ED2103S06FXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 2EDB7259KXUMA1 | 2ED2103S06FXUMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Product Type | Isolated Gate Driver IC | — |
| Number of Channels | 2 | — |
| Source Drive Current | 5 A | — |
| Sink Drive Current | 9 A | — |
| Isolation Voltage | 2500 Vrms | — |
| Common-Mode Transient Immunity (CMTI) | 150 V/ns | — |
| Propagation Delay | 38 ns | — |
| جهد التغذية | 12 V to 18 V | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | — |
| العلبة | 13-LGA (5x5 mm) | PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Coreless Transformer Isolation | High-Voltage Level Shift (SOI) |
| Protection Features | UVLO, Short-Circuit, Miller Clamp | — |
| Output Stage | Rail-to-rail p-channel sourcing | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| الوظيفة | — | Half-Bridge Gate Driver |
| Configuration | — | Non-Inverting |
| Number of Drivers | — | 2 (high-side + low-side) |
| Driven Device Type | — | IGBT, N-Channel MOSFET |
| High-Side Offset Voltage (Max) | — | 650 V |
| Bootstrap Voltage (Max) | — | 675 V |
| Supply Voltage (VCC) | — | 10 V to 20 V |
| Source Current (typ.) | — | 0.29 A |
| Sink Current (typ.) | — | 0.7 A |
| Bootstrap Diode | — | Integrated |
| Logic Input Compatibility | — | 3.3 V / 5 V |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | — | Yes (VCC and VBS) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -40C to +125C |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |