2EDB7259KXUMA1 vs 2ED2103S06FXUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 2EDB7259KXUMA1 توسط Infineon و 2ED2103S06FXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
2ED2103S06FXUMA1 2ED2103S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2103S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2103S06FXUMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر 2EDB7259KXUMA1 2ED2103S06FXUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Product Type Isolated Gate Driver IC —
Number of Channels 2 —
Source Drive Current 5 A —
Sink Drive Current 9 A —
Isolation Voltage 2500 Vrms —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 150 V/ns —
Propagation Delay 38 ns —
ولتاژ تغذیه 12 V to 18 V —
دمای کاری -40C to +125C —
بسته‌بندی 13-LGA (5x5 mm) PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology Coreless Transformer Isolation High-Voltage Level Shift (SOI)
Protection Features UVLO, Short-Circuit, Miller Clamp —
Output Stage Rail-to-rail p-channel sourcing —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
عملکرد — Half-Bridge Gate Driver
Configuration — Non-Inverting
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Driven Device Type — IGBT, N-Channel MOSFET
High-Side Offset Voltage (Max) — 650 V
Bootstrap Voltage (Max) — 675 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Bootstrap Diode — Integrated
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
محدوده دمای کاری — -40C to +125C
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت