2EDB7259KXUMA1 vs 2ED2103S06FXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2EDB7259KXUMA1 tarafından Infineon ve 2ED2103S06FXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2EDB7259KXUMA1 2ED2103S06FXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Product Type Isolated Gate Driver IC —
Number of Channels 2 —
Source Drive Current 5 A —
Sink Drive Current 9 A —
Isolation Voltage 2500 Vrms —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 150 V/ns —
Propagation Delay 38 ns —
Besleme Gerilimi 12 V to 18 V —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C —
Paket 13-LGA (5x5 mm) PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology Coreless Transformer Isolation High-Voltage Level Shift (SOI)
Protection Features UVLO, Short-Circuit, Miller Clamp —
Output Stage Rail-to-rail p-channel sourcing —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Fonksiyon — Half-Bridge Gate Driver
Configuration — Non-Inverting
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Driven Device Type — IGBT, N-Channel MOSFET
High-Side Offset Voltage (Max) — 650 V
Bootstrap Voltage (Max) — 675 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Bootstrap Diode — Integrated
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -40C to +125C
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL level]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin