2EDL8034G4CXTMA1 vs 2EDL8033G4BXTMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDL8034G4CXTMA1 بواسطة Infineon و 2EDL8033G4BXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 2EDL8034G4CXTMA1 | 2EDL8033G4BXTMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Driver Type | Half-Bridge (High-Side / Low-Side) | — |
| Configuration | Non-Inverting | — |
| Bootstrap Voltage (Max) | 120 V | — |
| Peak Source Current | 3 A | — |
| Peak Sink Current | 4 A | — |
| عدد المخارج | 2 | — |
| Rise Time (Typical) | [DATA_NEEDED: rise time ns] | — |
| Fall Time (Typical) | [DATA_NEEDED: fall time ns] | — |
| Propagation Delay (Typical) | [DATA_NEEDED: propagation delay ns] | — |
| Input Logic Compatibility | 3.3 V / 5 V | TTL |
| VCC Supply Voltage | [DATA_NEEDED: VCC range V] | — |
| UVLO Protection | Yes (VCC and VBS) | — |
| Isolation Type | Junction-isolated (level-shifted) | Junction-isolated (non-galvanic) |
| ESD Rating (HBM) | [DATA_NEEDED: ESD HBM kV] | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -40 C to +125 C | — |
| العلبة | PG-VDSON-10-2 (DSN-10) with exposed pad | PG-VDSON-8-5 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (per Infineon product page) | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| البنية الطوبولوجية | — | Half-bridge (high-side + low-side) |
| Maximum Bootstrap Voltage (VBS) | — | 120 V |
| Source Drive Current | — | 3 A |
| Sink Drive Current | — | 4 A |
| Number of Channels | — | 2 (HS + LS) |
| Input Common-Mode Range | — | -10 V to 20 V |
| Input Type | — | Independent HS and LS |
| Integrated Dead-Time Control | — | Yes (programmable) |
| Under-Voltage Lockout (VCC/VDD) | — | Yes |
| Under-Voltage Lockout (VBS/High-Side) | — | Yes |
| Shoot-Through Protection | — | Yes |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Marking Code | — | 2ED8033G4B |