2EDL8034G4CXTMA1 vs 2EDL8033G4BXTMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2EDL8034G4CXTMA1 tarafından Infineon ve 2EDL8033G4BXTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2EDL8034G4CXTMA1 2EDL8033G4BXTMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Driver Type Half-Bridge (High-Side / Low-Side) —
Configuration Non-Inverting —
Bootstrap Voltage (Max) 120 V —
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 4 A —
Çıkış Sayısı 2 —
Rise Time (Typical) [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Fall Time (Typical) [DATA_NEEDED: fall time ns] —
Propagation Delay (Typical) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range V] —
UVLO Protection Yes (VCC and VBS) —
Isolation Type Junction-isolated (level-shifted) Junction-isolated (non-galvanic)
ESD Rating (HBM) [DATA_NEEDED: ESD HBM kV] —
İşletim Jant Sıcaklığı -40 C to +125 C —
Paket PG-VDSON-10-2 (DSN-10) with exposed pad PG-VDSON-8-5
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (per Infineon product page) —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] —
Ağ Yapısı — Half-bridge (high-side + low-side)
Maximum Bootstrap Voltage (VBS) — 120 V
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Number of Channels — 2 (HS + LS)
Input Common-Mode Range — -10 V to 20 V
Input Type — Independent HS and LS
Integrated Dead-Time Control — Yes (programmable)
Under-Voltage Lockout (VCC/VDD) — Yes
Under-Voltage Lockout (VBS/High-Side) — Yes
Shoot-Through Protection — Yes
RoHS Durumu — Compliant
Marking Code — 2ED8033G4B

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin