2EDN7434RXTMA1 vs 1EDN7146UXTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDN7434RXTMA1 بواسطة Infineon و 1EDN7146UXTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDN7434RXTMA1 1EDN7146UXTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family EiceDRIVER 2EDN —
Driver Configuration Dual-channel low-side —
Number of Drivers 2 —
Peak Output Current 5 A (source/sink) —
Rated Output Current 4 A —
Output Resistance (Low) [DATA_NEEDED: output resistance Ron low] —
Output Resistance (High) [DATA_NEEDED: output resistance Ron high] —
Propagation Delay (Typ.) 19 ns —
Input Logic Compatibility LV-TTL, non-inverting —
Absolute Max Input Voltage -12 V to +22 V —
Supply Voltage Range [DATA_NEEDED: VDD range] —
العلبة PG-TSSOP-8 (3.0 x 3.0 mm) PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature] -40C to +125C
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Active Output Voltage Clamping Yes —
Driver Type — Single-channel high-side TDI gate driver
Maximum Blocking Voltage — 200 V
Input Configuration — Truly differential (TDI)
Output Current (Source / Sink) — 1.5 A / 2.5 A
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns]
زمن الصعود — [DATA_NEEDED: typical rise time ns]
زمن السقوط — [DATA_NEEDED: typical fall time ns]
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range V]
Target Transistor — GaN SG HEMT or power MOSFET
Topology Support — Half-bridge, low-side, high-side

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر