2EDR8258XXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDR8258XXUMA1 بواسطة Infineon و 1ED3124MC12HXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDR8258XXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Isolated single-channel gate driver —
Isolation Technology Magnetic (coreless transformer) coupling Magnetic coupling (coreless transformer)
Number of Channels 1 —
عدد المخارج 2 (high-side and low-side, half-bridge) 1
Peak Source Current 5 A 13.5 A
Peak Sink Current 9 A 14 A
Galvanic Isolation (rms) 5700 Vrms —
Galvanic Isolation (peak) 8000 Vpk —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 150 V/ns —
Propagation Delay (typical) 38 ns —
Driver Supply Voltage (VCC, VBS) 8 V to 20 V —
Input Supply Voltage (VDD) 3 V to 5.5 V —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 °C to +125 °C —
العلبة PG-DSO-14 (14-pin) PG-DSO-8 (DSO-8)
Protection Features UVLO (VCC/VBS), DESAT short-circuit, enable/shutdown, dead-time control, interleaving protection —
Logic Input Non-inverting, CMOS compatible —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Channel Type — Single-channel
Configuration — High-side / Low-side (non-inverting)
Number of Drivers — 1
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
زمن الصعود — 15 ns
زمن السقوط — 30 ns
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر