2EDR8258XXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 2EDR8258XXUMA1 توسط Infineon و 1ED3124MC12HXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
1ED3124MC12HXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر 2EDR8258XXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Product Type Isolated single-channel gate driver —
Isolation Technology Magnetic (coreless transformer) coupling Magnetic coupling (coreless transformer)
Number of Channels 1 —
تعداد خروجی‌ها 2 (high-side and low-side, half-bridge) 1
Peak Source Current 5 A 13.5 A
Peak Sink Current 9 A 14 A
Galvanic Isolation (rms) 5700 Vrms —
Galvanic Isolation (peak) 8000 Vpk —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 150 V/ns —
Propagation Delay (typical) 38 ns —
Driver Supply Voltage (VCC, VBS) 8 V to 20 V —
Input Supply Voltage (VDD) 3 V to 5.5 V —
محدوده دمای کاری -40 °C to +125 °C —
بسته‌بندی PG-DSO-14 (14-pin) PG-DSO-8 (DSO-8)
Protection Features UVLO (VCC/VBS), DESAT short-circuit, enable/shutdown, dead-time control, interleaving protection —
Logic Input Non-inverting, CMOS compatible —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Channel Type — Single-channel
Configuration — High-side / Low-side (non-inverting)
Number of Drivers — 1
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
زمان صعود — 15 ns
زمان افت — 30 ns
دمای کاری — -40 C to +125 C
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت