2EDR8258XXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2EDR8258XXUMA1 tarafından Infineon ve 1ED3124MC12HXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2EDR8258XXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Product Type Isolated single-channel gate driver —
Isolation Technology Magnetic (coreless transformer) coupling Magnetic coupling (coreless transformer)
Number of Channels 1 —
Çıkış Sayısı 2 (high-side and low-side, half-bridge) 1
Peak Source Current 5 A 13.5 A
Peak Sink Current 9 A 14 A
Galvanic Isolation (rms) 5700 Vrms —
Galvanic Isolation (peak) 8000 Vpk —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 150 V/ns —
Propagation Delay (typical) 38 ns —
Driver Supply Voltage (VCC, VBS) 8 V to 20 V —
Input Supply Voltage (VDD) 3 V to 5.5 V —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40 °C to +125 °C —
Paket PG-DSO-14 (14-pin) PG-DSO-8 (DSO-8)
Protection Features UVLO (VCC/VBS), DESAT short-circuit, enable/shutdown, dead-time control, interleaving protection —
Logic Input Non-inverting, CMOS compatible —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
Channel Type — Single-channel
Configuration — High-side / Low-side (non-inverting)
Number of Drivers — 1
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
Artış Süresi — 15 ns
Düşüş Süresi — 30 ns
İşletim Sıcaklığı — -40 C to +125 C
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin