6EDL04I065NRXUMA1 vs IDL04G65C5XUMA2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 6EDL04I065NRXUMA1 بواسطة Infineon و IDL04G65C5XUMA2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 6EDL04I065NRXUMA1 | IDL04G65C5XUMA2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Diodes |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| البنية الطوبولوجية | 3-phase gate driver (6 channels) | — |
| تكوين الخرج | Non-inverting half-bridge drivers | — |
| Maximum Blocking Voltage | 650 V | — |
| Number of Channels | 6 | — |
| Driver Type | IGBT / MOSFET gate driver | — |
| Technology | Infineon thin-film SOI | — |
| Integrated Bootstrap Diode (BSD) | Yes | — |
| Over Current Protection (OCP) | Yes | — |
| Enable Input (EN) | Yes | — |
| Fault Output | Yes | — |
| العلبة | PG-TSSOP-25 | PG-VSON-4 (DPAK real2pin) Surface Mount |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount, Tape & Reel |
| Family | 6EDL04x065xR | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Datasheet Document | Infineon 6EDL04 family datasheet (see datasheet_url) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | CoolSiC™ Schottky Diode Generation 5 |
| Diode Type | — | Silicon Carbide (SiC) Schottky |
| Repetitive Peak Reverse Voltage (V_RRM) | — | 650 V |
| Continuous Forward Current (I_F(AV)) | — | 4 A |
| Total Capacitive Charge (Q_C) | — | 7 nC (typical) |
| Forward Voltage (V_F) | — | 1.7 V at 4 A (typical, per datasheet) |
| Reverse Leakage Current (I_R) | — | 70 µA at 650 V |
| Junction Capacitance (C_J) | — | 130 pF at 1 V, 1 MHz |
| Reverse Recovery Time (t_rr) | — | 0 ns (Schottky, no minority-carrier storage) |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55°C to +175°C |
| عدد الأطراف | — | 4 (with exposed thermal pad) |
| RoHS / REACH | — | RoHS Compliant (per Infineon product page) |