6EDL04I065NRXUMA1 vs IDL04G65C5XUMA2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना 6EDL04I065NRXUMA1 द्वारा Infineon और IDL04G65C5XUMA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | 6EDL04I065NRXUMA1 | IDL04G65C5XUMA2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | Power MOSFET Drivers | Diodes |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| टोपोलॉजी | 3-phase gate driver (6 channels) | — |
| आउटपुट कॉन्फ़िगरेशन | Non-inverting half-bridge drivers | — |
| Maximum Blocking Voltage | 650 V | — |
| Number of Channels | 6 | — |
| Driver Type | IGBT / MOSFET gate driver | — |
| Technology | Infineon thin-film SOI | — |
| Integrated Bootstrap Diode (BSD) | Yes | — |
| Over Current Protection (OCP) | Yes | — |
| Enable Input (EN) | Yes | — |
| Fault Output | Yes | — |
| पैकेज | PG-TSSOP-25 | PG-VSON-4 (DPAK real2pin) Surface Mount |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount, Tape & Reel |
| Family | 6EDL04x065xR | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Datasheet Document | Infineon 6EDL04 family datasheet (see datasheet_url) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | CoolSiC™ Schottky Diode Generation 5 |
| Diode Type | — | Silicon Carbide (SiC) Schottky |
| Repetitive Peak Reverse Voltage (V_RRM) | — | 650 V |
| Continuous Forward Current (I_F(AV)) | — | 4 A |
| Total Capacitive Charge (Q_C) | — | 7 nC (typical) |
| Forward Voltage (V_F) | — | 1.7 V at 4 A (typical, per datasheet) |
| Reverse Leakage Current (I_R) | — | 70 µA at 650 V |
| Junction Capacitance (C_J) | — | 130 pF at 1 V, 1 MHz |
| Reverse Recovery Time (t_rr) | — | 0 ns (Schottky, no minority-carrier storage) |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55°C to +175°C |
| पिन काउंट | — | 4 (with exposed thermal pad) |
| RoHS / REACH | — | RoHS Compliant (per Infineon product page) |