6EDL04I065NRXUMA1 vs IDL04G65C5XUMA2 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של 6EDL04I065NRXUMA1 מאת Infineon ו IDL04G65C5XUMA2 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | 6EDL04I065NRXUMA1 | IDL04G65C5XUMA2 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | Power MOSFET Drivers | Diodes |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| טופולוגיה | 3-phase gate driver (6 channels) | — |
| תצורת מוצא | Non-inverting half-bridge drivers | — |
| Maximum Blocking Voltage | 650 V | — |
| Number of Channels | 6 | — |
| Driver Type | IGBT / MOSFET gate driver | — |
| Technology | Infineon thin-film SOI | — |
| Integrated Bootstrap Diode (BSD) | Yes | — |
| Over Current Protection (OCP) | Yes | — |
| Enable Input (EN) | Yes | — |
| Fault Output | Yes | — |
| מארז | PG-TSSOP-25 | PG-VSON-4 (DPAK real2pin) Surface Mount |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount, Tape & Reel |
| Family | 6EDL04x065xR | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Datasheet Document | Infineon 6EDL04 family datasheet (see datasheet_url) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | CoolSiC™ Schottky Diode Generation 5 |
| Diode Type | — | Silicon Carbide (SiC) Schottky |
| Repetitive Peak Reverse Voltage (V_RRM) | — | 650 V |
| Continuous Forward Current (I_F(AV)) | — | 4 A |
| Total Capacitive Charge (Q_C) | — | 7 nC (typical) |
| Forward Voltage (V_F) | — | 1.7 V at 4 A (typical, per datasheet) |
| Reverse Leakage Current (I_R) | — | 70 µA at 650 V |
| Junction Capacitance (C_J) | — | 130 pF at 1 V, 1 MHz |
| Reverse Recovery Time (t_rr) | — | 0 ns (Schottky, no minority-carrier storage) |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55°C to +175°C |
| מספר פינים | — | 4 (with exposed thermal pad) |
| RoHS / REACH | — | RoHS Compliant (per Infineon product page) |