AS4C512M16D4-75BIN vs AS4C512M16D4-75BCNTR مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ AS4C512M16D4-75BIN بواسطة Alliance Memory و AS4C512M16D4-75BCNTR بواسطة Alliance Memory. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ نشطAlliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | AS4C512M16D4-75BIN | AS4C512M16D4-75BCNTR |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Alliance Memory | Alliance Memory |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $7.90 |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | 1.333 GHz |
| Access Time | 18 ns | 18 ns |
| Write Cycle Time | 15 ns | 15 ns |
| جهد التغذية | 1.2 V | — |
| العلبة | 96-FBGA (7.5x13) | 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm) |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C to +95°C | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| الواجهة | POD | Parallel |
| معدل البيانات | 2666 Mbps | 2666 Mbps per pin |
| عدد الدبابيس | 96 | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| الميزات | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration | — |
| Density | — | 8 Gbit |
| التنظيم | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V) |
| Prefetch Architecture | — | 8n |
| Internal Bank Count | — | 16 banks |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | 0C to +95C (case, commercial) |
| Process Technology | — | 20nm-class DRAM |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| Refresh Modes | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Packaging Option | — | Tape & Reel (TR suffix) |
| Lead-Free | — | Yes |