AS4C512M16D4-75BIN vs AS4C512M16D4-75BCNTR So sánh

So sánh chi tiết song song của AS4C512M16D4-75BIN bằng Alliance Memory và AS4C512M16D4-75BCNTR bằng Alliance Memory. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN ✓ Hoạt động
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BCNTR
Thương hiệu Alliance Memory Alliance Memory
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) — $7,90
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Kích thước bộ nhớ 8 Gbit —
Memory Organization 512M x 16 —
Clock Frequency 1.333 GHz 1.333 GHz
Access Time 18 ns 18 ns
Write Cycle Time 15 ns 15 ns
Điện áp cung cấp 1.2 V —
Hộp 96-FBGA (7.5x13) 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm)
Nhiệt độ hoạt động -40°C to +95°C —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Giao diện POD Parallel
Tốc độ dữ liệu 2666 Mbps 2666 Mbps per pin
Số lượng chân 96 —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Tính năng Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration —
Density — 8 Gbit
Tổ chức — 512M x 16
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V)
Prefetch Architecture — 8n
Internal Bank Count — 16 banks
Khoảng nhiệt độ hoạt động — 0C to +95C (case, commercial)
Process Technology — 20nm-class DRAM
Termination — On-die termination (ODT)
Refresh Modes — Auto-refresh and self-refresh
Packaging Option — Tape & Reel (TR suffix)
Lead-Free — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá