AS4C512M16D4-75BIN vs AS4C512M16D4-75BCNTR Perbandingan

Perbandingan bersamaan detil AS4C512M16D4-75BIN dari Alliance Memory dan AS4C512M16D4-75BCNTR dari Alliance Memory. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.

Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN ✓ Aktif
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ Aktif

Perbandingan Spesifikasi

Parameter Umum AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BCNTR
Merek Alliance Memory Alliance Memory
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Harga Unit (USD) — $7,90
Tipe Memori DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Ukuran Memori 8 Gbit —
Memory Organization 512M x 16 —
Clock Frequency 1.333 GHz 1.333 GHz
Access Time 18 ns 18 ns
Write Cycle Time 15 ns 15 ns
Tegangan Pemuat 1.2 V —
Paket 96-FBGA (7.5x13) 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm)
Suhu Kerja -40°C to +95°C —
Tipe Mounting Surface Mount Surface Mount
Antarmuka POD Parallel
Laju Data 2666 Mbps 2666 Mbps per pin
Jumlah Pin 96 —
Status RoHS Compliant Compliant
Fitur Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration —
Density — 8 Gbit
Organisasi — 512M x 16
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V)
Prefetch Architecture — 8n
Internal Bank Count — 16 banks
Rentang Suhu Kerja — 0C to +95C (case, commercial)
Process Technology — 20nm-class DRAM
Termination — On-die termination (ODT)
Refresh Modes — Auto-refresh and self-refresh
Packaging Option — Tape & Reel (TR suffix)
Lead-Free — Yes

Spek dan Sumber

Buka Semua Produk Buat BOM Ajukan Diskon