AS4C512M16D4-75BIN vs AS4C512M16D4-75BCNTR Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma AS4C512M16D4-75BIN tarafından Alliance Memory ve AS4C512M16D4-75BCNTR tarafından Alliance MemoryAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN ✓ Aktif
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BCNTR
Marka Alliance Memory Alliance Memory
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) — $7,90
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Bellek Boyutu 8 Gbit —
Memory Organization 512M x 16 —
Clock Frequency 1.333 GHz 1.333 GHz
Access Time 18 ns 18 ns
Write Cycle Time 15 ns 15 ns
Besleme Gerilimi 1.2 V —
Paket 96-FBGA (7.5x13) 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm)
İşletim Sıcaklığı -40°C to +95°C —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Arayüz POD Parallel
Veri Hızı 2666 Mbps 2666 Mbps per pin
Pin Sayısı 96 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Özellikler Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration —
Density — 8 Gbit
Organizasyon — 512M x 16
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V)
Prefetch Architecture — 8n
Internal Bank Count — 16 banks
İşletim Sıcaklığı Aralığı — 0C to +95C (case, commercial)
Process Technology — 20nm-class DRAM
Termination — On-die termination (ODT)
Refresh Modes — Auto-refresh and self-refresh
Packaging Option — Tape & Reel (TR suffix)
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin