AS4C512M16D4-75BIN vs AS4C512M16D4-75BCNTR तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना AS4C512M16D4-75BIN द्वारा Alliance Memory और AS4C512M16D4-75BCNTR द्वारा Alliance Memory. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ सक्रियAlliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | AS4C512M16D4-75BIN | AS4C512M16D4-75BCNTR |
|---|---|---|
| ब्रांड | Alliance Memory | Alliance Memory |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $7.90 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | 1.333 GHz |
| Access Time | 18 ns | 18 ns |
| Write Cycle Time | 15 ns | 15 ns |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | — |
| पैकेज | 96-FBGA (7.5x13) | 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm) |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40°C to +95°C | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| इंटरफ़ेस | POD | Parallel |
| डेटा दर | 2666 Mbps | 2666 Mbps per pin |
| पिन की संख्या | 96 | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| विशेषताएँ | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration | — |
| Density | — | 8 Gbit |
| संगठन | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V) |
| Prefetch Architecture | — | 8n |
| Internal Bank Count | — | 16 banks |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | 0C to +95C (case, commercial) |
| Process Technology | — | 20nm-class DRAM |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| Refresh Modes | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Packaging Option | — | Tape & Reel (TR suffix) |
| Lead-Free | — | Yes |