BSC093N15NS5 vs BSC093N15NS5ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC093N15NS5 بواسطة Infineon و BSC093N15NS5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC093N15NS5 | BSC093N15NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC093N15NS5 | — |
| Technology | OptiMOS™ 5 | OptiMOS 5 150V |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 87 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 9.3 mOhm | — |
| Power Dissipation (Tc) | 139 W | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| AEC-Q100 Automotive Qualified | Not qualified (standard grade) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 87 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V | — | 9.3 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 139 W |
| Gate Drive Voltage (VGS) Recommended | — | 10 V |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| خالٍ من الهالوجين | — | [DATA_NEEDED: halogen free status] |