BSC093N15NS5 vs BSC093N15NS5ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSC093N15NS5 bằng Infineon và BSC093N15NS5ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSC093N15NS5 BSC093N15NS5 - 150V 9.3mΩ OptiMOS™5 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC093N15NS5 - 150V 9.3mΩ OptiMOS™5 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC093N15NS5 ✓ Hoạt động
Infineon
BSC093N15NS5ATMA1 BSC093N15NS5ATMA1 - 150V 9.3mΩ 87A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC093N15NS5ATMA1 - 150V 9.3mΩ 87A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC093N15NS5ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSC093N15NS5 BSC093N15NS5ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC093N15NS5 —
Technology OptiMOS™ 5 OptiMOS 5 150V
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 87 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 9.3 mOhm —
Power Dissipation (Tc) 139 W —
Hộp PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
AEC-Q100 Automotive Qualified Not qualified (standard grade) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 87 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V — 9.3 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC — 139 W
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended — 10 V
Cấp MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Đông trùng haogen — [DATA_NEEDED: halogen free status]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá