BSC093N15NS5 vs BSC093N15NS5ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC093N15NS5 توسط Infineon و BSC093N15NS5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC093N15NS5 BSC093N15NS5ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC093N15NS5 —
Technology OptiMOS™ 5 OptiMOS 5 150V
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 87 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 9.3 mOhm —
Power Dissipation (Tc) 139 W —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55C to +150C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
وضعیت RoHS Compliant Compliant
AEC-Q100 Automotive Qualified Not qualified (standard grade) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 87 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V — 9.3 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC — 139 W
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended — 10 V
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
بدون هالوژن — [DATA_NEEDED: halogen free status]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت