BSC093N15NS5 vs BSC093N15NS5ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC093N15NS5 द्वारा Infineon और BSC093N15NS5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSC093N15NS5 BSC093N15NS5 - 150V 9.3mΩ OptiMOS™5 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC093N15NS5 - 150V 9.3mΩ OptiMOS™5 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC093N15NS5 ✓ सक्रिय
Infineon
BSC093N15NS5ATMA1 BSC093N15NS5ATMA1 - 150V 9.3mΩ 87A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC093N15NS5ATMA1 - 150V 9.3mΩ 87A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC093N15NS5ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSC093N15NS5 BSC093N15NS5ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC093N15NS5 —
Technology OptiMOS™ 5 OptiMOS 5 150V
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 87 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 9.3 mOhm —
Power Dissipation (Tc) 139 W —
पैकेज PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +150C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
RoHS स्थिति Compliant Compliant
AEC-Q100 Automotive Qualified Not qualified (standard grade) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 87 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V — 9.3 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC — 139 W
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended — 10 V
MSL स्तर — [DATA_NEEDED: MSL level]
हैलोजन फ्री — [DATA_NEEDED: halogen free status]

डेटाशीट और संसाधन

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