BSC097N06NSATMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC097N06NSATMA1 بواسطة Infineon و IPL60R105P7AUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC097N06NSATMA1 IPL60R105P7AUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 CoolMOS P7
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 46 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM peak value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max at VGS=10 V 9.7 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 36 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +150C —
العلبة / الحالة PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (Trench) Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 (Unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Rated Yes (EAS per datasheet) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C
العلبة — PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
Channel Type — N-Channel
خالٍ من الهالوجين — Yes
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر