BSC097N06NSATMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC097N06NSATMA1 מאת Infineon ו IPL60R105P7AUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC097N06NSATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC097N06NSATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSC097N06NSATMA1 IPL60R105P7AUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 CoolMOS P7
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 46 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM peak value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max at VGS=10 V 9.7 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 36 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +150C —
מארז / Case PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (Trench) Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL 1 (Unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Rated Yes (EAS per datasheet) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
טווח טמפרטורת פעולה — -55C to +150C
מארז — PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
Channel Type — N-Channel
נטול הלוגנים — Yes
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר