BSC097N06NSATMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC097N06NSATMA1 tarafından Infineon ve IPL60R105P7AUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC097N06NSATMA1 IPL60R105P7AUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 CoolMOS P7
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 46 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM peak value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max at VGS=10 V 9.7 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 36 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C —
Paket / Kas PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (Trench) Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (Unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Rated Yes (EAS per datasheet) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C
Paket — PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
Channel Type — N-Channel
Klorürsüz — Yes
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin