BSC097N06NSATMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC097N06NSATMA1 بذریعہ Infineon اور IPL60R105P7AUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC097N06NSATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC097N06NSATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC097N06NSATMA1 IPL60R105P7AUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 CoolMOS P7
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 46 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM peak value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max at VGS=10 V 9.7 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 36 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +150C —
پیکیج / کیس PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (Trench) Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 (Unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Rated Yes (EAS per datasheet) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C
پیکیج — PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
Channel Type — N-Channel
ہیلوجن فری — Yes
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں