BSC0993NDATMA1 vs BSC035N04LSGATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC0993NDATMA1 بواسطة Infineon و BSC035N04LSGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC0993NDATMA1 | BSC035N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS 5 30V | — |
| Configuration | Dual N-Channel (Array) | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Ta | 17 A | — |
| العلبة | PG-TISON-8 | PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (junction) | — |
| ESD Protection | Yes (integrated) | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Rds(on) max @ Vgs=10V | [DATA_NEEDED: Rds(on) value] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 21 A |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 3.5 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.7 V (typ) |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C | — | 69 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55°C to +150°C |