BSC0993NDATMA1 vs BSC035N04LSGATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSC0993NDATMA1 bằng Infineon và BSC035N04LSGATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSC0993NDATMA1 BSC0993NDATMA1 - 30V 17A Dual N-Ch OptiMOS 5 Array | Infineon

BSC0993NDATMA1 - 30V 17A Dual N-Ch OptiMOS 5 Array | Infineon

BSC0993NDATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 - 40V 100A 3.5mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

BSC035N04LSGATMA1 - 40V 100A 3.5mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

BSC035N04LSGATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSC0993NDATMA1 BSC035N04LSGATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 5 30V —
Configuration Dual N-Channel (Array) —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Ta 17 A —
Hộp PG-TISON-8 PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET —
Channel Mode Enhancement —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C (junction) —
ESD Protection Yes (integrated) —
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Rds(on) max @ Vgs=10V [DATA_NEEDED: Rds(on) value] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Series — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 21 A
RDS(on) Max at VGS=10V — 3.5 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.7 V (typ)
Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C — 69 W
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55°C to +150°C

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá