BSC0993NDATMA1 vs BSC035N04LSGATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC0993NDATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC035N04LSGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC0993NDATMA1 BSC0993NDATMA1 - 30V 17A Dual N-Ch OptiMOS 5 Array | Infineon

BSC0993NDATMA1 - 30V 17A Dual N-Ch OptiMOS 5 Array | Infineon

BSC0993NDATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 - 40V 100A 3.5mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

BSC035N04LSGATMA1 - 40V 100A 3.5mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

BSC035N04LSGATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC0993NDATMA1 BSC035N04LSGATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 5 30V —
Configuration Dual N-Channel (Array) —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Ta 17 A —
প্যাকেজ PG-TISON-8 PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET —
Channel Mode Enhancement —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +150C (junction) —
ESD Protection Yes (integrated) —
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL level] —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Rds(on) max @ Vgs=10V [DATA_NEEDED: Rds(on) value] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Series — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 21 A
RDS(on) Max at VGS=10V — 3.5 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.7 V (typ)
Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C — 69 W
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55°C to +150°C

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট