BSC12DN20NS3GATMA1 vs BSC109N10NS3GATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC12DN20NS3GATMA1 بواسطة Infineon و BSC109N10NS3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 - 200V 11.3A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC12DN20NS3GATMA1 | BSC109N10NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 200V | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 11.3 A | 63 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 50 W | 78 W |
| العلبة | PG-TDSON-8-5 | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55C to +175C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold typical] | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | 26 nC |
| Technology | OptiMOS power MOSFET | OptiMOS 3 |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Configuration | Single N-channel | — |
| عدد الأطراف | 8 | 8 |
| FET Type | — | N-Channel |
| RDS(on) Max | — | 10.9 mOhm at VGS=10 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |