BSC12DN20NS3GATMA1 vs BSC109N10NS3GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC12DN20NS3GATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC109N10NS3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 - 200V 11.3A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC12DN20NS3GATMA1 | BSC109N10NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 200V | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 11.3 A | 63 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 50 W | 78 W |
| پیکیج | PG-TDSON-8-5 | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55C to +175C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold typical] | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | 26 nC |
| Technology | OptiMOS power MOSFET | OptiMOS 3 |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Configuration | Single N-channel | — |
| پن کی تعداد | 8 | 8 |
| FET Type | — | N-Channel |
| RDS(on) Max | — | 10.9 mOhm at VGS=10 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |