BSC190N15NS3G vs BSC190N15NS3GATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC190N15NS3G بواسطة Infineon و BSC190N15NS3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
BSC190N15NS3GATMA1 - 150V 50A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC190N15NS3GATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | BSC190N15NS3G | BSC190N15NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Technology | OptiMOS 3 (trench-gate) | OptiMOS 3 (N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (V_DS max) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS max) | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Static Drain-Source R_DS(on) max @ 10 V | 19 mOhm | — |
| Static Drain-Source R_DS(on) typ @ 10 V | [DATA_NEEDED: typical R_DS(on) at 10 V] | — |
| Total Power Dissipation (P_D, Tc=25C) | 125 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +150C | — |
| العلبة | SuperSO8 5x6 / PG-TDSON-8-1 | PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (per Infineon product page) | — |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| عدد الأطراف | 8 | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 50 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.5 V to 3.5 V |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 19 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 125 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +150 C |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| مستوى MSL | — | 1 |