BSC190N15NS3G vs BSC190N15NS3GATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC190N15NS3G توسط Infineon و BSC190N15NS3GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
BSC190N15NS3GATMA1 - 150V 50A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC190N15NS3GATMA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC190N15NS3G | BSC190N15NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Technology | OptiMOS 3 (trench-gate) | OptiMOS 3 (N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (V_DS max) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS max) | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Static Drain-Source R_DS(on) max @ 10 V | 19 mOhm | — |
| Static Drain-Source R_DS(on) typ @ 10 V | [DATA_NEEDED: typical R_DS(on) at 10 V] | — |
| Total Power Dissipation (P_D, Tc=25C) | 125 W | — |
| دمای اتصال کاری | -55C to +150C | — |
| بسته‌بندی | SuperSO8 5x6 / PG-TDSON-8-1 | PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (per Infineon product page) | — |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| تعداد پایه | 8 | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 50 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.5 V to 3.5 V |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 19 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 125 W |
| محدوده دمای کاری | — | -55 C to +150 C |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |
| سطح MSL | — | 1 |