BSC190N15NS3G vs BSC190N15NS3GATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC190N15NS3G מאת Infineon ו BSC190N15NS3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSC190N15NS3G BSC190N15NS3G - 150V 50A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC190N15NS3G - 150V 50A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC190N15NS3G ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSC190N15NS3G BSC190N15NS3GATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel —
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology OptiMOS 3 (trench-gate) OptiMOS 3 (N-Channel)
Drain-Source Voltage (V_DS max) 150 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 50 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (V_GS max) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Static Drain-Source R_DS(on) max @ 10 V 19 mOhm —
Static Drain-Source R_DS(on) typ @ 10 V [DATA_NEEDED: typical R_DS(on) at 10 V] —
Total Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 125 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +150C —
מארז SuperSO8 5x6 / PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (per Infineon product page) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) [DATA_NEEDED: MSL rating] —
מספר פינים 8 —
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V to 3.5 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 19 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 125 W
טווח טמפרטורת פעולה — -55 C to +150 C
סטטוס RoHS — Compliant
רמת MSL — 1

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר