BSD235CH6327XTSA1 vs BSP88H6327XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSD235CH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSP88H6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSD235CH6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS™ —
Configuration N+P complementary dual MOSFET Single
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 950 mA —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 530 mA (negative polarity) —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Package Type PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ low-voltage SIPMOS (planar enhancement mode)
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +150 °C (junction) —
Polarity N-channel + P-channel —
Channel Mode Enhancement —
حالة RoHS Compliant (lead-free) —
مستوى MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
عدد الأطراف 6 —
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
Continuous Drain Current (ID) — 350 mA at Ta=25 C
Power Dissipation (PD) — 1.8 W at Ta=25 C
العلبة — PG-SOT223-4 (SOT-223-3)
On-State Resistance (RDS(on)) — 6 ohm typical at VGS=10 V
درجة حرارة التشغيل — -55 C to +150 C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Drain Tab Connection — SOT-223 tab is drain

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر