BSD235CH6327XTSA1 vs BSP88H6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSD235CH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSP88H6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 - 240V N-Ch MOSFET 350mA SOT-223 | Infineon

BSP88H6327XTSA1 - 240V N-Ch MOSFET 350mA SOT-223 | Infineon

BSP88H6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSD235CH6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS™ —
Configuration N+P complementary dual MOSFET Single
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 950 mA —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 530 mA (negative polarity) —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Package Type PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ low-voltage SIPMOS (planar enhancement mode)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C (junction) —
Polarity N-channel + P-channel —
Channel Mode Enhancement —
RoHS اسٹیٹس Compliant (lead-free) —
MSL لیول 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
پن کی تعداد 6 —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
Continuous Drain Current (ID) — 350 mA at Ta=25 C
Power Dissipation (PD) — 1.8 W at Ta=25 C
پیکیج — PG-SOT223-4 (SOT-223-3)
On-State Resistance (RDS(on)) — 6 ohm typical at VGS=10 V
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55 C to +150 C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Drain Tab Connection — SOT-223 tab is drain

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں