BSL308CH6327XTSA1 vs BSP92PH6327XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSL308CH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSP92PH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSL308CH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET
Configuration Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel) —
العلبة PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins) PG-SOT223-4 (SOT-223-4)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) 2.3 A —
Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) 2 A —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch] —
On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch] —
Total Gate Charge (Qg) 5 nC @ 10 V —
Input Capacitance (Ciss) 18 pF —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +150 °C —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
Automotive Qualified Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade) —
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
خالٍ من الهالوجين Yes (per Infineon product family convention) —
نوع الترانزستور — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — -250 V
Continuous Drain Current (ID) — -260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1.8 W (Ta)
Channel Polarity — P-Channel
درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C (Tj)
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
عدد الأطراف — 4 (Gate, Drain, Drain, Source)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر