BSL308CH6327XTSA1 vs BSP92PH6327XTSA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSL308CH6327XTSA1 द्वारा Infineon और BSP92PH6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSP92PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1 - P-Channel 250V 260mA MOSFET SOT-223 | Infineon

BSP92PH6327XTSA1 - P-Channel 250V 260mA MOSFET SOT-223 | Infineon

BSP92PH6327XTSA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSL308CH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET
Configuration Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel) —
पैकेज PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins) PG-SOT223-4 (SOT-223-4)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) 2.3 A —
Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) 2 A —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch] —
On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch] —
Total Gate Charge (Qg) 5 nC @ 10 V —
Input Capacitance (Ciss) 18 pF —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 °C to +150 °C —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
Automotive Qualified Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade) —
RoHS स्थिति Compliant —
Lead-Free Yes —
हैलोजन फ्री Yes (per Infineon product family convention) —
ट्रांज़िस्टर प्रकार — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — -250 V
Continuous Drain Current (ID) — -260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1.8 W (Ta)
Channel Polarity — P-Channel
ऑपरेटिंग तापमान — -55C to +150C (Tj)
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
पिन काउंट — 4 (Gate, Drain, Drain, Source)

डेटाशीट और संसाधन

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