BSL308CH6327XTSA1 vs BSP92PH6327XTSA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSL308CH6327XTSA1 bằng Infineon và BSP92PH6327XTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon
BSL308CH6327XTSA1 ✓ Hoạt độngInfineon
BSP92PH6327XTSA1 - P-Channel 250V 260mA MOSFET SOT-223 | Infineon
BSP92PH6327XTSA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSL308CH6327XTSA1 | BSP92PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs | OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET |
| Configuration | Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel) | — |
| Hộp | PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins) | PG-SOT223-4 (SOT-223-4) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) | 2.3 A | — |
| Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) | 2 A | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 500 mW | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) | [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch] | — |
| On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) | [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 5 nC @ 10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 18 pF | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +150 °C | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited) |
| Automotive Qualified | Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Đông trùng haogen | Yes (per Infineon product family convention) | — |
| Kiểu transitor | — | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -250 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -260 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 1.8 W (Ta) |
| Channel Polarity | — | P-Channel |
| Nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +150C (Tj) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes / Compliant |
| Số chân | — | 4 (Gate, Drain, Drain, Source) |