BSO150N03MDGXUMA1 vs BSO613SPVGXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSO150N03MDGXUMA1 بواسطة Infineon و BSO613SPVGXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSO150N03MDGXUMA1 BSO613SPVGXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSO150N03MDGXUMA1 —
Product Type Dual N-Channel MOSFET Array —
Technology OptiMOS 3M (30V trench MOSFET) OptiMOS (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) max per channel 9.3 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 15 mOhm at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V [DATA_NEEDED: VGS max +/-V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 1.0 V —
Power Dissipation (PD) max 1.4 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C -55C to +150C (junction, per industry standard for Power-SO-8 MOSFETs)
العلبة PG-DSO-8 (SO-8 with exposed pad) PG-DSO-8-6 (Power-SO-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 (unlimited) MSL3 (per JEDEC J-STD-020, industry standard for Power-SO-8)
حالة RoHS Compliant Compliant
Channel Configuration Dual N-Channel (independent) —
FET Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -3.44 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=4.5V]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes (per Infineon OptiMOS family)
عدد الأطراف — 8 (6 active, 2 thermal/NC)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر