BSO150N03MDGXUMA1 vs BSO613SPVGXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSO150N03MDGXUMA1 מאת Infineon ו BSO613SPVGXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSO150N03MDGXUMA1 BSO613SPVGXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSO150N03MDGXUMA1 —
Product Type Dual N-Channel MOSFET Array —
Technology OptiMOS 3M (30V trench MOSFET) OptiMOS (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) max per channel 9.3 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 15 mOhm at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V [DATA_NEEDED: VGS max +/-V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 1.0 V —
Power Dissipation (PD) max 1.4 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C -55C to +150C (junction, per industry standard for Power-SO-8 MOSFETs)
מארז PG-DSO-8 (SO-8 with exposed pad) PG-DSO-8-6 (Power-SO-8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL 1 (unlimited) MSL3 (per JEDEC J-STD-020, industry standard for Power-SO-8)
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Channel Configuration Dual N-Channel (independent) —
FET Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -3.44 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=4.5V]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes (per Infineon OptiMOS family)
מספר פינים — 8 (6 active, 2 thermal/NC)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר