BSO150N03MDGXUMA1 vs BSO613SPVGXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSO150N03MDGXUMA1 tarafından Infineon ve BSO613SPVGXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSO150N03MDGXUMA1 BSO613SPVGXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSO150N03MDGXUMA1 —
Product Type Dual N-Channel MOSFET Array —
Technology OptiMOS 3M (30V trench MOSFET) OptiMOS (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) max per channel 9.3 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 15 mOhm at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V [DATA_NEEDED: VGS max +/-V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 1.0 V —
Power Dissipation (PD) max 1.4 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C -55C to +150C (junction, per industry standard for Power-SO-8 MOSFETs)
Paket PG-DSO-8 (SO-8 with exposed pad) PG-DSO-8-6 (Power-SO-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 (unlimited) MSL3 (per JEDEC J-STD-020, industry standard for Power-SO-8)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Channel Configuration Dual N-Channel (independent) —
FET Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -3.44 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=4.5V]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes (per Infineon OptiMOS family)
Pin Sayısı — 8 (6 active, 2 thermal/NC)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin