BSO150N03MDGXUMA1 vs BSO613SPVGXUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSO150N03MDGXUMA1 توسط Infineon و BSO613SPVGXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSO150N03MDGXUMA1 BSO613SPVGXUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSO150N03MDGXUMA1 —
Product Type Dual N-Channel MOSFET Array —
Technology OptiMOS 3M (30V trench MOSFET) OptiMOS (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) max per channel 9.3 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 15 mOhm at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V [DATA_NEEDED: VGS max +/-V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 1.0 V —
Power Dissipation (PD) max 1.4 W —
محدوده دمای کاری -55C to +150C -55C to +150C (junction, per industry standard for Power-SO-8 MOSFETs)
بسته‌بندی PG-DSO-8 (SO-8 with exposed pad) PG-DSO-8-6 (Power-SO-8)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 (unlimited) MSL3 (per JEDEC J-STD-020, industry standard for Power-SO-8)
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Channel Configuration Dual N-Channel (independent) —
FET Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -3.44 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=4.5V]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes (per Infineon OptiMOS family)
تعداد پایه — 8 (6 active, 2 thermal/NC)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت