BSP129H6327XTSA1 vs BSP135H6906XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSP129H6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSP135H6906XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSP129H6327XTSA1 BSP135H6906XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel, Depletion Mode N-Channel Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 350 mA 120 mA
On-Resistance RDS(on) max 4.2 ohm (some sources 6 ohm) —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.8 W —
العلبة PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab) PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C (junction) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Threshold Voltage VGS(off) [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)] —
dv/dt Ruggedness Yes (rated) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record)
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
Process Technology SIPMOS (vertical DMOS) —
Drain Terminal Tab (pin 4) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
RDS(on) Max at VGS=0V — 45 Ohm
Power Dissipation (PD) Max — 1.8 W
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(off)) — Depletion mode (normally-on)
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C
عدد الأطراف — 4 (3 leads + drain tab)
Technology — SIPMOS (planar high-voltage)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر