BSP129H6327XTSA1 vs BSP135H6906XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSP129H6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSP135H6906XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSP129H6327XTSA1 BSP135H6906XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel, Depletion Mode N-Channel Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 350 mA 120 mA
On-Resistance RDS(on) max 4.2 ohm (some sources 6 ohm) —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.8 W —
پیکیج PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab) PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -55 C to +150 C (junction) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Threshold Voltage VGS(off) [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)] —
dv/dt Ruggedness Yes (rated) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
Process Technology SIPMOS (vertical DMOS) —
Drain Terminal Tab (pin 4) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
RDS(on) Max at VGS=0V — 45 Ohm
Power Dissipation (PD) Max — 1.8 W
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(off)) — Depletion mode (normally-on)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C
پن کی تعداد — 4 (3 leads + drain tab)
Technology — SIPMOS (planar high-voltage)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں