BSP92PH6327XTSA1 vs BSD214SNH6327XTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSP92PH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSD214SNH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSP92PH6327XTSA1 | BSD214SNH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET | — |
| نوع الترانزستور | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -250 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | -260 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W (Ta) | — |
| العلبة | PG-SOT223-4 (SOT-223-4) | SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Polarity | P-Channel | — |
| درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (Tj) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | — |
| مستوى MSL | 1 (unlimited) | 1 |
| عدد الأطراف | 4 (Gate, Drain, Drain, Source) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (Id) at 25C | — | 1.5 A |
| Power Dissipation (Pd) at Ta | — | 500 mW |
| Gate Drive Voltage (Rds On rated) | — | 2.5 V, 4.5 V |
| Rds On (Max) @ Vgs=4.5V | — | [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V] |
| Rds On (Max) @ Vgs=2.5V | — | [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V] |
| Vgs(th) (typical) | — | [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C (junction) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Standard Pack Quantity | — | 3000 (Tape & Reel) |