BSP92PH6327XTSA1 vs BSD214SNH6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSP92PH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSD214SNH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 1.5A | Infineon SOT-363

BSD214SNH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 1.5A | Infineon SOT-363

BSD214SNH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSP92PH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET —
ٹرانزسٹر کی قسم P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -250 V —
Continuous Drain Current (ID) -260 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) —
پیکیج PG-SOT223-4 (SOT-223-4) SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Channel Polarity P-Channel —
آپریٹنگ درجہ حرارت -55C to +150C (Tj) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSL لیول 1 (unlimited) 1
پن کی تعداد 4 (Gate, Drain, Drain, Source) —
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) at 25C — 1.5 A
Power Dissipation (Pd) at Ta — 500 mW
Gate Drive Voltage (Rds On rated) — 2.5 V, 4.5 V
Rds On (Max) @ Vgs=4.5V — [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V]
Rds On (Max) @ Vgs=2.5V — [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V]
Vgs(th) (typical) — [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C (junction)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Standard Pack Quantity — 3000 (Tape & Reel)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں